В России впервые выпущены микросхемы с топологическим размером 65 нм

Фабрика «НИИМЭ и Микрон» разработала собственную технологию создания интегральных схем с размером транзистора (топология) 65 нанометров.

Тестовые образцы таких транзисторов и кольцевых генераторов сошли с конвейера в декабре 2013 года, сообщает CNews.ru со ссылкой на генерального директора «НИИМЭ и Микрон» Геннадия Красникова.

В апреле 2014 года компания запустит производство микросхем 65 нм по новой технологии — память на 16 Мб. «Пока мы хотим выйти на мощность 500 пластин в месяц по 65-нм»,— добавил Г.Красников. Основными заказчиками новых микросхем должны стать производители встраиваемой памяти, специализированных микропроцессоров, требующих ускоренной обработки данных: транзисторы в новых кристаллах работают в 1,5 раза быстрее, чем выполненные по технологии 90 нм, а энергии используют в два с лишним раза меньше.

В технологическом процессе 65-нм производства «Микрона» используется ультрафиолетовая фотолитография с длиной волны излучений 193 нм, которая применяется для серийного производства 90-нм чипов.

Отмечается, что в производство нового вида микросхем было инвестировано около 3 миллиардов рублей. Финансирование проекта осуществлялось по модели частно-государственного партнерства. В технологическую часть было инвестировано около 1 миллиарда рублей, из которых 65% вложило государство, и 35% — предприятие.