Связь / Новости
инфраструктура
29.8.2016

Физики изучают возможность использования мультиграфена для изготовления флешки

Согласно результатам, полученным учеными из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП) СО РАН (г. Новосибирск), флеш-память с использованием мультиграфена (несколько слоев графена) по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах.

Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене), пишет издание «Наука в Сибири».

Помимо этого, необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

Эффективность флеш-памяти (время хранения заряда, быстродействие) в свою очередь зависит от величины работы выхода запоминающей среды — энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. Используемый мультиграфен обладает важной особенностью — у него большая работа выхода для электронов, около 5 эВ (электронвольт). Из-за этого на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера увеличена и составляет примерно 4 эВ. Именно этот эффект был взят в основу исследования. 

Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. Для сравнения: величина потенциального барьера на границе кремния и оксида кремния составляет только 3,1 эВ. По этой причине во флеш-памяти, основанной на хранении заряда в кремниевых кластерах, применяются более толстые туннельный и блокирующий слои, что неизбежно приводит к уменьшению быстродействия.

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — отметил Ю. Новиков. 

Говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано. «На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», — сообщил ученый.

Изображение: Lori.ru

Еще по теме

Компаниям сотовой связи предложили включить роуминг в селах и на автотрассах

Как развивается российский рынок виртуальных сотовых операторов

Почему операторы связи прибегают к модели FVNO

Сотовые операторы планируют ввозить в РФ подержанную технику

Как сокращаются возможности телефонных мошенников

В России есть свое оборудование для строительства линий связи

Будущая многоспутниковая орбитальная группировка РФ готовится к практической реализации

Россия намерена удвоить спутниковую группировку

В России изучают целесообразность внедрения 5G в диапазоне 6 ГГц

Правительство утвердило пакет мер поддержки телеком-отрасли

Изменят ли санкции предпочтения россиян при выборе телефонов

К концу года количество подключений к сетям связи пятого поколения достигнет миллиарда

Новые группировки спутников связи позволят решать приоритетные задачи в экономике и социальной сфере

Какие инновации применяются на Олимпиаде в Пекине

Представлена новая виртуальная идентификационная карта, встроенная в центральный процессор смартфона