Новая память от Samsung на 33% быстрее HBM2* предыдущего поколения
В компании анонсировали начало производства продукта, обеспечивающего скорость передачи данных 3,2 Гбит/с на 1 канал.
По словам разработчиков, Flashbolt – первая в мире память, соответствующая спецификации HBM2E, передает Cnews.
Новая технология обеспечивает вдвое большую плотность по сравнению с образцами предыдущего поколения (16 Гбит на кристалл) и общую пропускную способность HBM2E в районе 410 Гб/с. Таким образом, конфигурация из четырех стеков с 4096-битным интерфейсом памяти позволит добиться впечатляющей цифры в 1,64 ТБ/с и емкости в 64 ГБ.
Компания позиционирует новый тип памяти как ультрасовременное решение для центров обработки данных (ЦОД), искусственного интеллекта/машинного обучения, компьютерной графики и других ресурсозатратных задач.
* HBM2 — High Bandwidth Memory — стандарт памяти с высокой пропускной способностью.
Изображение: Freepik.com, RSpectr.com.
